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定制化SoC (ASIC)

制造技术・封装

制造技术・封装

器件产品,提供从90nm到12nm的对应广泛的工艺的标准单元库。
我们与多个集成电路制造商协作,通过这些制造商所持有的生产能力和本公司质量管理体制及设计技术能力的优势互补,本公司在先进定制化SoC也保持在LSI业界领先地位。

标准单元

[标准单元一览]
技术 系列名 电源电压(标准)
7 nm FinFET CMOS T.B.D. T.B.D
12 nm FinFET CMOS CS661系列 +0.7V±0.07V / +0.8V±0.08V
16 nm FinFET CMOS CS602系列 +0.7V±0.07V / +0.8V±0.08V
28 nm Metal 门 CMOS CS407系列 +0.8V±0.08V / +0.9V±0.09V
28 nm Metal 门 CMOS CS405系列 +0.9V±0.09V
40 nm Si 门 CMOS CS302系列 +1.1V±0.1V
55 nm Si 门 CMOS CS251系列 +1.2V±0.1V
65 nm Si 门 CMOS CS201系列 +0.9 〜+1.3V(支持宽范围)
90 nm Si 门 CMOS CS101系列 +0.9 〜+1.3V(支持宽范围)

[功耗比较]
功耗比较
[门电路规模比较]
门电路规模比较

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